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| 来源：哈尔滨新闻网 发布时间：2009/8/11 8:55:53 |
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儿童急性脑病死残率高，一直是儿科领域有待攻克的难题。日前，哈医大二院专家一项研究，在国际上首次确定儿童脑缺氧缺血损伤后最佳的脑保护时间为缺氧缺血后3小时内，持续局部亚低温治疗6小时内。
据介绍，儿童急性脑病是造成我国儿童死亡的主要原因，该病死亡率、致残率较高，也是造成儿童神经系统后遗症的主要原因。而早期脑保护是降低神经后遗症和死残率、减轻脑损害的关键。目前公认亚低温（33℃～35℃）是脑保护成人脑缺氧缺血的有效方法，但在儿科领域尚无应用。
日前，哈医大二院郝艳秋教授等人共同完成了“贴敷式头部亚低温对小儿急性脑病治疗作用的研究”。课题组通过大量动物试验及临床研究表明，局部亚低温疗法可以避免儿童全身低温治疗的弊端，不会出现致命的并发症。局部亚低温传热面积小，只需要对治疗部分进行亚低温治疗，无需对头部或全身进行降温，从而大大减少了全身亚低温所带来的如电解质紊乱、心率失常等并发症。课题组还首次确定了儿童脑缺氧缺血损伤后最佳的脑保护时间窗：儿童缺氧缺血后3小时内，持续局部亚低温治疗6小时内，是脑保护的最佳时间。
专家介绍，该成果对于新生儿缺氧缺血性脑病和胆红素性脑病等急性脑病的治疗将起到重要作用，日前获省科技进步二等奖。
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| 责任编辑：秦延超 |
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